BSZ086P03NS3EG、BSZ086P03NS3GATMA1对比区别
型号 BSZ086P03NS3EG BSZ086P03NS3GATMA1
描述 Infineon OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能，以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括：直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。 增强型模式 雪崩等级 低切换和传导功率损耗 无铅引线电镀；符合 RoHS 标准 标准封装 OptiMOS™ P 通道系列：温度范围为 -55°C 至 +175°C ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能INFINEON BSZ086P03NS3GATMA1 晶体管, MOSFET, BRT, P沟道, -40 A, -30 V, 0.0065 ohm, -10 V, -2.5 V
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8
封装 TSDSON EP TSDSON-8
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 69 W 69 W
额定功率 - 52 W
针脚数 - 8
漏源极电阻 - 0.0065 Ω
极性 - P-Channel
耗散功率 - 69 W
阈值电压 - 2.5 V
连续漏极电流(Ids) - 13.5A
上升时间 - 46 ns
输入电容(Ciss) - 3190pF @15V(Vds)
下降时间 - 8 ns
长度 3.4 mm 3.4 mm
宽度 3.4 mm 3.4 mm
高度 1.1 mm 1.1 mm
封装 TSDSON EP TSDSON-8
产品生命周期 Active Active
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 PB free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17
工作温度 - -55℃ ~ 150℃
ECCN代码 - EAR99