制造商型号: | DMG3401LSNQ-13 |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET 25V~30V SC59 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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DIODES(美台) DMG3401LSNQ-13
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DMG3401LSNQ-13 中文资料
数据手册PDF
DMG3401LSNQ-13 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 3 A
漏源电阻 60 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 25.1 nC
耗散功率 800 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 38 ns
正向跨导(Min) 12 S
上升时间 13 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 71 ns
典型接通延迟时间 8 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
10000 | 1.179645 | 11796.45 |
30000 | 1.152431 | 34572.93 |
50000 | 1.123059 | 56152.95 |
品牌其他型号
DMG3401LSNQ-13品牌厂家:DIODES
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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