制造商型号: | DMTH4004SCTB-13 |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET BVDSS: 31V 40V TO263 T&R |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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DIODES(美台) DMTH4004SCTB-13
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DMTH4004SCTB-13 中文资料
数据手册PDF
DMTH4004SCTB-13 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 68.6 nC
耗散功率 136 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1.600 g
库存: 800
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 20.022853 | 20.02 |
10 | 16.378942 | 163.79 |
100 | 12.740006 | 1274.00 |
品牌其他型号
DMTH4004SCTB-13品牌厂家:DIODES
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
,可在锐单商城现货采购DMTH4004SCTB-13、查询DMTH4004SCTB-13代理商; DMTH4004SCTB-13价格批发咨询客服;这里拥有
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