DMTH4004SCTB-13

Diodes(美台) 分立器件

N沟道 40V 100A

表面贴装型 N 通道 100A（Tc） 4.7W（Ta），136W（Tc） TO-263AB

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N沟道 40V 100A

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MOSFET BVDSS: 31V 40V TO263 T&R

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MOSFET 40V 175c N-Ch FET 3mOhm 10Vgs 100A

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Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

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Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

DMTH4004SCTB-13中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 4.7 W

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 100A

上升时间 6.7 ns

输入电容Ciss 4305pF @25VVds

下降时间 8.1 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 4.7W Ta, 136W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

DMTH4004SCTB-13引脚图与封装图

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