制造商型号: | IPB081N06L3GATMA1 |
制造商: | INFINEON (英飞凌) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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INFINEON(英飞凌) IPB081N06L3GATMA1
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IPB081N06L3GATMA1 中文资料
数据手册PDF
IPB081N06L3GATMA1 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 50 A
漏源电阻 6.7 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 29 nC
耗散功率 79 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns
正向跨导(Min) 35 S
上升时间 26 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 37 ns
典型接通延迟时间 15 ns
外形参数
高度 4.4 mm
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPB081N06L3 G SP000398076
单位重量 4 g
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1000 | 5.39539 | 5395.39 |
2000 | 5.035717 | 10071.43 |
5000 | 4.783881 | 23919.40 |
10000 | 4.60408 | 46040.80 |
品牌其他型号
IPB081N06L3GATMA1品牌厂家:INFINEON
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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