IPB081N06L3GATMA1

INFINEON  IPB081N06L3GATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 6.7 mohm, 10 V, 1.7 V

表面贴装型 N 通道 50A（Tc） 79W（Tc） D²PAK（TO-263AB）

欧时:
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB081N06L3GATMA1, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装

得捷:
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK

e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 60 V, 50 A, 0.0067 ohm, TO-263 D2PAK, 表面安装

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 79W; D2PAK, PG-TO263-3

Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

Newark:
# INFINEON  IPB081N06L3GATMA1  MOSFET Transistor, N Channel, 50 A, 60 V, 6.7 mohm, 10 V, 1.7 V