制造商型号： | IGT60R190D1SATMA1 |
制造商： | INFINEON (英飞凌) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | IC GAN FET 600V 23A 8HSOF |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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INFINEON(英飞凌) IGT60R190D1SATMA1
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IGT60R190D1SATMA1 中文资料
数据手册PDF
IGT60R190D1SATMA1 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标名 CoolGaN
商标 Infineon Technologies
产品 CoolGaN
技术类参数
技术 GaN
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 12.5 A
漏源电阻 190 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 900 mV
栅极电荷 3.2 nC
耗散功率 55.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
上升时间 5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 12 ns
典型接通延迟时间 11 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IGT60R190D1S SP001701702
单位重量 745 mg
IGT60R190D1SATMA1 同类别型号
库存： 262
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 185.31147 | 185.31 |
| 10 | 170.364711 | 1703.65 |
| 25 | 163.300775 | 4082.52 |
| 100 | 141.230575 | 14123.06 |
| 250 | 136.817669 | 34204.42 |
| 500 | 127.990721 | 63995.36 |
| 1000 | 117.398357 | 117398.36 |
品牌其他型号
IGT60R190D1SATMA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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