IGT60R190D1SATMA1

Infineon(英飞凌) 电子元器件分类

晶体管, MOSFET, N沟道, 12.5 A, 600 V, 0.14 ohm, 1.2 V

表面贴装型 N 通道 600 V 12.5A（Tc） 55,5W（Tc） PG-HSOF-8-3

得捷:
GANFET N-CH 600V 12.5A 8HSOF

欧时:
Infineon MOSFET IGT60R190D1SATMA1

e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 600 V, 12.5 A, 0.14 ohm, HSOF, 表面安装

艾睿:
Trans JFET N-CH 600V 12.5A GaN 9-Pin8+Tab HSOF T/R

Verical:
Trans JFET N-CH 600V 12.5A GaN 9-Pin8+Tab HSOF T/R

IGT60R190D1SATMA1中文资料参数规格

技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.14 Ω

耗散功率 55.5 W

阈值电压 1.2 V

漏源极电压Vds 600 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 55500 mW

封装参数

引脚数 9

封装 HSOF

外形尺寸

封装 HSOF

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Contains Lead

IGT60R190D1SATMA1引脚图与封装图

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