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SILICONIX(威世) SIHP11N80AE-GE3

SILICONIX(威世) SIHP11N80AE-GE3
图像仅供参考
请参阅产品规格

制造商型号:

SIHP11N80AE-GE3

制造商:

SILICONIX (威世)

产品类别:

晶体管-FET,MOSFET-单个

商品描述:

MOSFET E SERIES TO-220AB

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

digikey

服务:

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SIHP11N80AE-GE3 中文资料

SIHP11N80AE-GE3 规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标 Vishay / Siliconix

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 800 V

漏极电流 8 A

漏源电阻 391 mOhms

栅极电压 - 30 V, + 30 V

栅源极阈值电压 4 V

栅极电荷 28 nC

耗散功率 78 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 27 ns

正向跨导(Min) 2.9 S

上升时间 15 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 25 ns

典型接通延迟时间 13 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 Through Hole

产品类型 MOSFET

单位重量 2 g

库存: 0

货期:

8周-10周(咨询客服)

最小起订:

1 个

整装:

¥10
单价:¥23.847126 总价:¥23.85

价格(含增值税)

数量 单价 总价
1 23.847126 23.85
10 21.41299 214.13
25 20.20457 505.11
100 15.757637 1575.76
250 15.353596 3838.40
500 13.333385 6666.69
品牌其他型号
SIHP11N80AE-GE3品牌厂家:SILICONIX ,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个 ,可在锐单商城现货采购SIHP11N80AE-GE3、查询SIHP11N80AE-GE3代理商; SIHP11N80AE-GE3价格批发咨询客服;这里拥有 SIHP11N80AE-GE3中文资料 、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到 SIHP11N80AE-GE3替代型号SIHP11N80AE-GE3数据手册PDF