制造商型号： | SIHP11N80AE-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET E SERIES TO-220AB |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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SILICONIX(威世) SIHP11N80AE-GE3
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SIHP11N80AE-GE3 中文资料
数据手册PDF
SIHP11N80AE-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 8 A
漏源电阻 391 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 28 nC
耗散功率 78 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 27 ns
正向跨导（Min） 2.9 S
上升时间 15 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 25 ns
典型接通延迟时间 13 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
SIHP11N80AE-GE3 同类别型号
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥27.34336 总价：￥27.34 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 27.34336 | 27.34 |
| 10 | 24.552354 | 245.52 |
| 25 | 23.166768 | 579.17 |
| 100 | 18.067868 | 1806.79 |
| 250 | 17.60459 | 4401.15 |
| 500 | 15.288196 | 7644.10 |
品牌其他型号
SIHP11N80AE-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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