IXTP06N120P
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXTP06N120P中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
耗散功率 42W Tc
漏源极电压Vds 1200 V
输入电容Ciss 270pF @25VVds
额定功率Max 42 W
耗散功率Max 42W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
宽度 4.82 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTP06N120P引脚图与封装图
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在线购买IXTP06N120P
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTP06N120P | IXYS Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 1.2kV 0.6A 3Pin3+Tab TO-220AB | 搜索库存 |
替代型号IXTP06N120P
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXTP06N120P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-220-3 | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 1.2kV 0.6A 3Pin3+Tab TO-220AB | 当前型号 |
| 型号： IXTA06N120P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-252-3 | 功能相似 | N沟道 1.2kV 600mA | IXTP06N120P和IXTA06N120P的区别 |