制造商型号： | IPB65R190C7ATMA2 |
制造商： | INFINEON (英飞凌) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH TO263-3 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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INFINEON(英飞凌) IPB65R190C7ATMA2
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IPB65R190C7ATMA2 中文资料
数据手册PDF
IPB65R190C7ATMA2 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 13 A
漏源电阻 404 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 23 nC
耗散功率 72 W
通道模式 Enhancement
下降时间 9 ns
上升时间 11 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 54 ns
典型接通延迟时间 11 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPB65R190C7 SP002447550
单位重量 324 mg
IPB65R190C7ATMA2 同类别型号
库存： 630
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 35.754906 | 35.75 |
| 10 | 29.999239 | 299.99 |
| 100 | 24.270979 | 2427.10 |
| 500 | 21.573788 | 10786.89 |
品牌其他型号
IPB65R190C7ATMA2品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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