IPB65R190C7ATMA1、IPB65R190C7ATMA2对比区别
型号 IPB65R190C7ATMA1 IPB65R190C7ATMA2
描述 Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 650 V, 0.168 ohm, 10 V, 3.5 V
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管
引脚数 3 3
封装 TO-263-3 D2PAK-263
安装方式 Surface Mount -
针脚数 3 3
漏源极电阻 0.168 Ω 0.168 Ω
耗散功率 72 W 72 W
阈值电压 3.5 V 3.5 V
漏源极电压(Vds) 650 V 650 V
上升时间 11 ns 11 ns
输入电容(Ciss) 1150pF @400V(Vds) 1150pF @400V(Vds)
下降时间 9 ns 9 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 72 W 72000 mW
额定功率 72 W -
极性 N-CH -
连续漏极电流(Ids) 13A -
封装 TO-263-3 D2PAK-263
长度 10.31 mm -
宽度 9.45 mm -
高度 4.57 mm -
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准
含铅标准 无铅 -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -