制造商型号： | IRF3808STRLPBF |
制造商： | INFINEON (英飞凌) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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INFINEON(英飞凌) IRF3808STRLPBF
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IRF3808STRLPBF 中文资料
数据手册PDF
IRF3808STRLPBF 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 75 V
漏极电流 106 A
漏源电阻 7 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 220 nC
耗散功率 200 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 120 ns
正向跨导（Min） 100 S
上升时间 140 ns
晶体管类型 1 N-Channel
外形参数
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF3808STRLPBF SP001559612
单位重量 330 mg
库存： 3022
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 36.731166 | 36.73 |
| 10 | 30.879083 | 308.79 |
| 100 | 24.979684 | 2497.97 |
品牌其他型号
IRF3808STRLPBF品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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