IRF3808SPBF、IRF3808STRRPBF、IRF3808STRLPBF对比区别

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型号 IRF3808SPBF IRF3808STRRPBF IRF3808STRLPBF

描述 INFINEON  IRF3808SPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 106 A, 75 V, 7 mohm, 10 V, 4 VD2PAK N-CH 75V 106AHEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-263-3

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 0.007 Ω 7 mΩ 0.0059 Ω

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 200 W 200 W 200 W

阈值电压 4 V 4 V 4 V

漏源极电压(Vds) 75 V 75 V 75 V

连续漏极电流(Ids) 106A 106A 106A

上升时间 140 ns 140 ns 140 ns

输入电容(Ciss) 5310pF @25V(Vds) 5310pF @25V(Vds) 5310pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 200 W - 200 W

下降时间 120 ns 120 ns 120 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 200W (Tc) 200W (Tc) 200W (Tc)

额定功率 200 W 200 W -

通道数 - 1 -

漏源击穿电压 - 75 V -

长度 10.67 mm 6.5 mm 10.67 mm

宽度 11.43 mm 6.22 mm 11.3 mm

高度 4.83 mm 2.3 mm 4.83 mm

封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-263-3

材质 - Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -