制造商型号: | TSM018NB03CR RLG |
制造商: | Taiwan Semiconductor (台湾集成电路制造) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | 30V, 194A, SINGLE N-CHANNEL POWE |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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Taiwan Semiconductor(台湾集成电路制造) TSM018NB03CR RLG
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TSM018NB03CR RLG 中文资料
数据手册PDF
TSM018NB03CR RLG 规格参数
关键信息
制造商 Taiwan Semiconductor
商标 Taiwan Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 194 A
漏源电阻 1.8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 120 nC
耗散功率 136 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 45 ns
正向跨导(Min) 70 S
上升时间 50 ns
典型关闭延迟时间 80 ns
典型接通延迟时间 9 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 TSM018NB03CR
单位重量 372.608 mg
TSM018NB03CR RLG 同类别型号
库存: 0
货期: | 8周-10周(咨询客服) |
最小起订: | 1 个 |
整装: | ¥10 |
单价:¥18.781156 总价:¥18.78 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 18.781156 | 18.78 |
10 | 16.865972 | 168.66 |
25 | 15.909616 | 397.74 |
100 | 12.409154 | 1240.92 |
250 | 12.090617 | 3022.65 |
500 | 10.499654 | 5249.83 |
1000 | 8.908693 | 8908.69 |
品牌其他型号
TSM018NB03CR RLG品牌厂家:Taiwan Semiconductor
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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