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Taiwan Semiconductor(台湾集成电路制造) TSM60N900CI C0G

Taiwan Semiconductor(台湾集成电路制造) TSM60N900CI C0G
图像仅供参考
请参阅产品规格

制造商型号:

TSM60N900CI C0G

制造商:

Taiwan Semiconductor (台湾集成电路制造)

产品类别:

晶体管-FET,MOSFET-单个

商品描述:

MOSFET N-CH 600V 4.5A ITO220

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

digikey

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TSM60N900CI C0G 中文资料

TSM60N900CI C0G 规格参数

属性
参数值

制造商型号

TSM60N900CI C0G

制造商

Taiwan Semiconductor(台湾集成电路制造)

商品描述

MOSFET N-CH 600V 4.5A ITO220

包装

Tube

系列

-

零件状态

Not For New Designs

FET 类型

N-Channel

技术

MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss)

600V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)

4.5A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)

900mOhm @ 2.3A, 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)

9.7nC @ 10V

Vgs(最大值)

±30V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)

480pF @ 100V

FET 功能

-

功率耗散(最大值)

50W (Tc)

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安装类型

Through Hole

供应商器件封装

ITO-220AB

封装/外壳

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

库存: 870

货期:

工作日(7~10天)

最小起订:

1 个

整装:

¥10
单价:¥19.028276 总价:¥19.03
购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。

价格(含增值税)

数量 单价 总价
1 19.028276 19.03
10 17.113093 171.13
25 16.141909 403.55
100 12.589553 1258.96
250 12.26706 3066.77
500 10.652869 5326.43
1000 9.038802 9038.80
2500 8.909681 22274.20
5000 8.264078 41320.39
TSM60N900CI C0G品牌厂家:Taiwan Semiconductor ,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个 ,可在锐单商城现货采购TSM60N900CI C0G、查询TSM60N900CI C0G代理商; TSM60N900CI C0G价格批发咨询客服;这里拥有 TSM60N900CI C0G中文资料 、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到 TSM60N900CI C0G替代型号TSM60N900CI C0G数据手册PDF