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ON(安森美) FQB5N60CTM-WS

ON(安森美) FQB5N60CTM-WS
图像仅供参考
请参阅产品规格

制造商型号:

FQB5N60CTM-WS

制造商:

ON (安森美)

产品类别:

晶体管-FET,MOSFET-单个

商品描述:

MOSFET N-CH 600V 4.5A

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

digikey

服务:

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客服:

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FQB5N60CTM-WS 中文资料

FQB5N60CTM-WS 规格参数

关键信息

制造商 onsemi

商标 onsemi / Fairchild

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 600 V

漏极电流 4.5 A

漏源电阻 2.5 Ohms

栅极电压 - 30 V, + 30 V

栅源极阈值电压 2 V

栅极电荷 19 nC

耗散功率 100 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

晶体管类型 1 N-Channel

外形参数

高度 4.83 mm

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 FQB5N60CTM_WS

单位重量 4 g

库存: 772

货期:

国内(1~3工作日)

最小起订:

1 个

整装:

¥10
单价:咨询客服 总价:咨询客服
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价格(含增值税)

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