制造商型号: | SIHB12N60E-GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 600V 12A TO263 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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SILICONIX(威世) SIHB12N60E-GE3
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SIHB12N60E-GE3 中文资料
数据手册PDF
SIHB12N60E-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 12 A
漏源电阻 380 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 29 nC
耗散功率 147 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 19 ns
上升时间 19 ns
典型关闭延迟时间 35 ns
典型接通延迟时间 14 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 15.263381 | 15.26 |
10 | 13.737042 | 137.37 |
100 | 11.041684 | 1104.17 |
500 | 9.071935 | 4535.97 |
1000 | 7.775884 | 7775.88 |
品牌其他型号
SIHB12N60E-GE3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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