制造商型号： | FDP39N20 |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 200V 39A TO-220 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
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ON(安森美) FDP39N20
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FDP39N20 中文资料
数据手册PDF
FDP39N20 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 39 A
漏源电阻 66 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 49 nC
耗散功率 251 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 150 ns
正向跨导（Min） 28.5 S
上升时间 160 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 150 ns
典型接通延迟时间 30 ns
外形参数
高度 16.3 mm
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 2 g
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 20.235883 | 20.24 |
| 10 | 18.197994 | 181.98 |
| 100 | 14.625609 | 1462.56 |
| 500 | 12.016539 | 6008.27 |
| 1000 | 10.924159 | 10924.16 |
品牌其他型号
FDP39N20品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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