FDP39N20
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDP39N20中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 66.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 251 W
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 39.0 A
上升时间 160 ns
输入电容Ciss 2130pF @25VVds
额定功率Max 251 W
下降时间 150 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 251W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
高度 16.3 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDP39N20引脚图与封装图
暂无图片
替代型号FDP39N20
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDP39N20 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-220 N-Channel 200V 39A 66mohms | 当前型号 | 200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFET | 当前型号 |
| 型号： SSP45N20B_FP001 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-220 N-Channel 200V 35A 65mohms | 类似代替 | Trans MOSFET N-CH 200V 35A 3Pin3+Tab TO-220 Rail | FDP39N20和SSP45N20B_FP001的区别 |
| 型号： STP40NF20 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 N-Channel 200V 25A 45mΩ 2.5nF | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STP40NF20 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 200 V, 38 mohm, 10 V, 3 V | FDP39N20和STP40NF20的区别 |
| 型号： STP30NF20 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 N-Channel 200V 30A 75mΩ 1.6nF | 功能相似 | N 通道 STripFET™，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | FDP39N20和STP30NF20的区别 |