RFD3055LESM9A
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
RFD3055LESM9A中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 60.0 V
额定电流 11.0 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.107 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 38 W
阈值电压 3 V
输入电容 350 pF
栅电荷 9.40 nC
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60.0 V
栅源击穿电压 ±16.0 V
连续漏极电流Ids 11.0 A, 11.0 mA
上升时间 105 ns
输入电容Ciss 350pF @25VVds
额定功率Max 38 W
下降时间 39 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 38W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
RFD3055LESM9A引脚图与封装图
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在线购买RFD3055LESM9A
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| RFD3055LESM9A | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR RFD3055LESM9A 晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 60 V, 0.107 ohm, 5 V, 3 V | 搜索库存 |
替代型号RFD3055LESM9A
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： RFD3055LESM9A 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-252 N-Channel 60V 11A 107mohms 350pF | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR RFD3055LESM9A 晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 60 V, 0.107 ohm, 5 V, 3 V | 当前型号 |
| 型号： RFD3055LESM 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-252/D-PAK N-Channel 60V 11A 107mohms 350pF | 类似代替 | 11A ， 60V ， 0.107欧姆，逻辑电平， N沟道功率MOSFET 11A, 60V, 0.107 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs | RFD3055LESM9A和RFD3055LESM的区别 |
| 型号： BUK92150-55A,118 品牌： 恩智浦 封装： DPAK N-Channel 55V 11A | 功能相似 | DPAK N-CH 55V 11A | RFD3055LESM9A和BUK92150-55A,118的区别 |