制造商型号: | SI9407BDY-T1-E3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-SOIC |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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SILICONIX(威世) SI9407BDY-T1-E3
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SI9407BDY-T1-E3 中文资料
数据手册PDF
SI9407BDY-T1-E3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 4.7 A
漏源电阻 100 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 14.5 nC
耗散功率 5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI9407BDY-E3
单位重量 750 mg
SI9407BDY-T1-E3 同类别型号
库存: 12879
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 16.545214 | 16.55 |
10 | 13.572053 | 135.72 |
100 | 10.554106 | 1055.41 |
500 | 8.945861 | 4472.93 |
1000 | 7.287358 | 7287.36 |
品牌其他型号
SI9407BDY-T1-E3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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