制造商型号: | SIS412DN-T1-GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8 PPAK |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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SILICONIX(威世) SIS412DN-T1-GE3
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SIS412DN-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SIS412DN-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 12 A
漏源电阻 24 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 8 nC
耗散功率 10 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
正向跨导(Min) 17 S
上升时间 10 ns, 12 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 13 ns, 15 ns
典型接通延迟时间 5 ns, 15 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SIS412DN-GE3
单位重量 1 g
库存: 96021
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 7.081942 | 7.08 |
10 | 6.112834 | 61.13 |
100 | 4.235498 | 423.55 |
500 | 3.538735 | 1769.37 |
1000 | 3.011689 | 3011.69 |
品牌其他型号
SIS412DN-T1-GE3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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