SIS412DN-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.02 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 15.6 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 30 V
输入电容Ciss 435pF @15VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3200 mW
封装参数
引脚数 8
封装 1212
外形尺寸
高度 1.04 mm
封装 1212
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Computers & Computer Peripherals, Power Management, 消费电子产品, 计算机和计算机周边, 电源管理, Consumer Electronics
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SIS412DN-T1-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SIS412DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SIS412DN-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 30 V, 20 mohm, 10 V, 1 V | 搜索库存 |