制造商型号: | IXTT2N170D2 |
制造商: | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 1700V 2A TO-268 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXTT2N170D2
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IXTT2N170D2 中文资料
数据手册PDF
IXTT2N170D2 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标 IXYS
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1.7 kV
漏极电流 2 A
漏源电阻 6.5 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4.5 V
栅极电荷 110 nC
耗散功率 568 W
通道模式 Enhancement
下降时间 106 ns
正向跨导(Min) 1.4 S
上升时间 58 ns
典型关闭延迟时间 33 ns
典型接通延迟时间 28 ns
外形参数
高度 5.1 mm
长度 14 mm
宽度 16.05 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 Depletion Mode MOSFET
单位重量 6.500 g
IXTT2N170D2 同类别型号
库存: 329
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 333.152384 | 333.15 |
10 | 307.214873 | 3072.15 |
100 | 262.337144 | 26233.71 |
500 | 238.17442 | 119087.21 |
品牌其他型号
IXTT2N170D2品牌厂家:IXYS
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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