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SIS413DN-T1-GE3

SIS413DN-T1-GE3

数据手册.pdf

Trans MOSFET P-CH 30V 14.7A 8Pin PowerPAK 1212 T/R

**Features:

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* Halogen-Free According to IEC 61249-2-21 Definition**

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* TrenchFET® Gen IV Power MOSFET**

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* 100% Rg and UIS Tested**

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* Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC**

Applications:

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* Switch Mode Power Supplies**

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* Personal Computers and Servers**

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* Telecom Bricks

* VRMs and POL


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 14.7A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R


Allied Electronics:
-30V 9.4mOhm@10V -18A P-Ch G-III


Newark:
# VISHAY  SIS413DN-T1-GE3  MOSFET, P-CH, -30V, -18A, POWERPAK 1212 New


SIS413DN-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 0.0076 Ω

耗散功率 52 W

输入电容Ciss 4280pF @15VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3700 mW

封装参数

引脚数 8

封装 PowerPak-1212-8

外形尺寸

高度 1.04 mm

封装 PowerPak-1212-8

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

REACH SVHC版本 2015/12/17

SIS413DN-T1-GE3引脚图与封装图
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SIS413DN-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世 Trans MOSFET P-CH 30V 14.7A 8Pin PowerPAK 1212 T/R 搜索库存