制造商型号： | SIR818DP-T1-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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SILICONIX(威世) SIR818DP-T1-GE3
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SIR818DP-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SIR818DP-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 50 A
漏源电阻 2.8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 95 nC
耗散功率 69 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SIR818DP-GE3
单位重量 506.600 mg
库存： 2290
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 21.112117 | 21.11 |
| 10 | 14.717287 | 147.17 |
| 100 | 11.141997 | 1114.20 |
| 500 | 9.748903 | 4874.45 |
| 1000 | 8.869385 | 8869.39 |
品牌其他型号
SIR818DP-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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