制造商型号： | PMZB350UPE,315 |
制造商： | Nexperia (安世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET P-CH 20V 1A 3DFN |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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Nexperia(安世) PMZB350UPE,315
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PMZB350UPE,315 中文资料
数据手册PDF
PMZB350UPE,315 规格参数
关键信息
制造商 Nexperia
商标 Nexperia
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 1.4 A
漏源电阻 940 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 450 mV
栅极电荷 1.3 nC
耗散功率 715 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 9 ns
正向跨导（Min） 1.4 S
上升时间 5 ns
晶体管类型 P-Channel
典型关闭延迟时间 26 ns
典型接通延迟时间 4 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 934066841315
单位重量 0.690 mg
库存： 7768
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 2.46033 | 2.46 |
| 10 | 2.394281 | 23.94 |
| 30 | 2.361257 | 70.84 |
| 100 | 2.31172 | 231.17 |
品牌其他型号
PMZB350UPE,315品牌厂家：Nexperia
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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