制造商型号: | 2N7002TQ-7-F |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET NCH 60V 115MA SOT523 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
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DIODES(美台) 2N7002TQ-7-F
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2N7002TQ-7-F 中文资料
数据手册PDF
2N7002TQ-7-F 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 115 mA
漏源电阻 13.5 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 -
耗散功率 150 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
正向跨导(Min) 80 mS
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 11 ns
典型接通延迟时间 7 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 2 mg
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
3000 | 0.553907 | 1661.72 |
6000 | 0.529593 | 3177.56 |
9000 | 0.458016 | 4122.14 |
30000 | 0.449456 | 13483.68 |
75000 | 0.372125 | 27909.38 |
品牌其他型号
2N7002TQ-7-F品牌厂家:DIODES
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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