制造商型号： | IPB073N15N5ATMA1 |
制造商： | INFINEON (英飞凌) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MV POWER MOS |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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INFINEON(英飞凌) IPB073N15N5ATMA1
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IPB073N15N5ATMA1 中文资料
数据手册PDF
IPB073N15N5ATMA1 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 150 V
漏极电流 114 A
漏源电阻 5.6 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 61 nC
耗散功率 214 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4 ns
正向跨导（Min） 46 S
上升时间 4 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 14 ns
外形参数
高度 4.4 mm
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPB073N15N5 SP001180660
单位重量 4 g
库存： 1974
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 68.611486 | 68.61 |
| 10 | 57.593215 | 575.93 |
| 100 | 46.591369 | 4659.14 |
| 500 | 41.414298 | 20707.15 |
品牌其他型号
IPB073N15N5ATMA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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