制造商型号: | FDB150N10 |
制造商: | ON (安森美) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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ON(安森美) FDB150N10
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FDB150N10 中文资料
数据手册PDF
FDB150N10 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标名 PowerTrench
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 57 A
漏源电阻 15 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4.5 V
栅极电荷 53 nC
耗散功率 110 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 83 ns
上升时间 164 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 86 ns
典型接通延迟时间 47 ns
外形参数
高度 4.83 mm
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
800 | 17.879041 | 14303.23 |
1600 | 15.078775 | 24126.04 |
2400 | 14.324813 | 34379.55 |
品牌其他型号
FDB150N10品牌厂家:ON
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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