FDB150N10
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDB150N10中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 110 W
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 57A
上升时间 164 ns
输入电容Ciss 4760pF @25VVds
额定功率Max 110 W
下降时间 83 ns
耗散功率Max 110W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
FDB150N10引脚图与封装图
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在线购买FDB150N10
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDB150N10 | Fairchild 飞兆/仙童 | N沟道MOSFET PowerTrench㈢ 100V ， 57A ， 15米ヘ N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 100V, 57A, 15mヘ | 搜索库存 |
替代型号FDB150N10
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDB150N10 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： D2PAK N-CH 100V 57A | 当前型号 | N沟道MOSFET PowerTrench㈢ 100V ， 57A ， 15米ヘ N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 100V, 57A, 15mヘ | 当前型号 |
| 型号： IPB16CN10NG 品牌： 英飞凌 封装： D2PAK N-Channel | 功能相似 | OptiMOS2功率三极管 OptiMOS2 Power-Transistor | FDB150N10和IPB16CN10NG的区别 |