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DMT6010LSS-13

DMT6010LSS-13

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

MOSFET BVDSS: 41V 60V SO-8 T&R; 2

N-Channel 60V 14A Ta 1.5W Ta Surface Mount 8-SO


得捷:
MOSFET N-CH 60V 14A 8SO T&R; 2


贸泽:
MOSFET 60V N-Ch Enh FET 12mOhm 4.5Vgs 11.5A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 14A Automotive 8-Pin SO T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin SOIC T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin SO T/R


DMT6010LSS-13中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

极性 N-CH

耗散功率 2 W

输入电容 2090 pF

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 14A

上升时间 4.3 ns

输入电容Ciss 2090pF @30VVds

下降时间 9.7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.5W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SO-8

外形尺寸

长度 4.95 mm

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

DMT6010LSS-13引脚图与封装图
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DMT6010LSS-13 Diodes 美台 MOSFET BVDSS: 41V 60V SO-8 T&R; 2 搜索库存