制造商型号: | IPD33CN10NGATMA1 |
制造商: | INFINEON (英飞凌) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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INFINEON(英飞凌) IPD33CN10NGATMA1
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IPD33CN10NGATMA1 中文资料
数据手册PDF
IPD33CN10NGATMA1 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 27 A
漏源电阻 25 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 18 nC
耗散功率 58 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4 ns
正向跨导(Min) 30 S
上升时间 21 ns
典型关闭延迟时间 17 ns
典型接通延迟时间 11 ns
外形参数
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPD33CN10N G SP001127812
单位重量 330 mg
IPD33CN10NGATMA1 同类别型号
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
33 | 2.904366 | 95.84 |
50 | 2.772357 | 138.62 |
100 | 2.640348 | 264.03 |
品牌其他型号
IPD33CN10NGATMA1品牌厂家:INFINEON
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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