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IPD50R280CE、IPD50R280CEATMA1、IPD33CN10NGATMA1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPD50R280CE IPD50R280CEATMA1 IPD33CN10NGATMA1

描述 Infineon CoolMOS™CE/CFD 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能INFINEON  IPD50R280CEATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 550 V, 0.25 ohm, 13 V, 3 VTrans MOSFET N-CH 100V 27A 3Pin TO-252

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定功率 - 92 W -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.25 Ω -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 119 W 92 W 58 W

阈值电压 - 3 V -

漏源极电压(Vds) 500 V 550 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 13A 13A -

上升时间 6.4 ns 6.4 ns 21 ns

输入电容(Ciss) 773pF @100V(Vds) 773pF @100V(Vds) 1570pF @50V(Vds)

下降时间 7.6 ns 7.6 ns 4 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 92W (Tc) 119W (Tc) 58W (Tc)

额定功率(Max) 92 W - -

长度 6.73 mm 6.5 mm 6.5 mm

宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.22 mm

高度 2.41 mm 2.3 mm 2.3 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

REACH SVHC标准 No SVHC - -