制造商型号: | MTB50P03HDLT4G |
制造商: | ON (安森美) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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ON(安森美) MTB50P03HDLT4G
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MTB50P03HDLT4G 中文资料
数据手册PDF
MTB50P03HDLT4G 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 50 A
漏源电阻 25 mOhms
栅极电压 - 15 V, + 15 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 74 nC
耗散功率 125 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 218 ns
正向跨导(Min) 20 S
上升时间 340 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 90 ns
典型接通延迟时间 22 ns
外形参数
高度 4.83 mm
长度 10.29 mm
宽度 9.65 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 4 g
库存: 4010
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
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1+ : 需询价 |
品牌其他型号
MTB50P03HDLT4G品牌厂家:ON
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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