制造商型号: | FDD86110 |
制造商: | ON (安森美) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 100V 12.5A DPAK-3 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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ON(安森美) FDD86110
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FDD86110 中文资料
数据手册PDF
FDD86110 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标名 PowerTrench
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 12.5 A
漏源电阻 10.2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 35 nC
耗散功率 3.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3.9 ns
正向跨导(Min) 38 S
上升时间 5.4 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 19 ns
典型接通延迟时间 12 ns
外形参数
高度 2.39 mm
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
库存: 6278
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 32.993503 | 32.99 |
10 | 27.440636 | 274.41 |
100 | 21.840456 | 2184.05 |
500 | 18.480846 | 9240.42 |
1000 | 15.68063 | 15680.63 |
品牌其他型号
FDD86110品牌厂家:ON
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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