制造商型号: | 2N7002 |
制造商: | NTE |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | T-MOSFET N CH ENHAN |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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NTE 2N7002
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2N7002 中文资料
数据手册PDF
2N7002 规格参数
属性
参数值
制造商型号
2N7002
制造商
NTE
商品描述
T-MOSFET N CH ENHAN
包装
-
系列
-
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
115mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
7.5Ohm @ 500mA, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
-
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
50pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
200mW (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
SOT-23 (TO-236AB)
封装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
库存: 27331
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
20 | 3.388799 | 67.78 |
40 | 3.21936 | 128.77 |
60 | 3.04992 | 183.00 |
80 | 2.88048 | 230.44 |
100 | 2.807863 | 280.79 |
品牌其他型号
2N7002品牌厂家:NTE
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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