制造商型号： | FDD86110 |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 100V 12.5A DPAK-3 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 自营 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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ON(安森美) FDD86110
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FDD86110 中文资料
数据手册PDF
FDD86110 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标名 PowerTrench
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 12.5 A
漏源电阻 10.2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 35 nC
耗散功率 3.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3.9 ns
正向跨导（Min） 38 S
上升时间 5.4 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 19 ns
典型接通延迟时间 12 ns
外形参数
高度 2.39 mm
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 2500 | 8.620752 | 21551.88 |
| 5000 | 8.296667 | 41483.33 |
品牌其他型号
FDD86110品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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