制造商型号： | RQ6E050ATTCR |
制造商： | ROHM (罗姆) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET P-CH 30V 5A TSMT |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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客服： | |
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ROHM(罗姆) RQ6E050ATTCR
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RQ6E050ATTCR 中文资料
数据手册PDF
RQ6E050ATTCR 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 5 A
漏源电阻 38 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 20.8 nC
耗散功率 1.25 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 22 ns
上升时间 16 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 55 ns
典型接通延迟时间 9.6 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RQ6E050AT
单位重量 5.577 g
库存： 17967
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 7.103119 | 7.10 |
| 10 | 6.068806 | 60.69 |
| 100 | 4.221995 | 422.20 |
| 500 | 3.295848 | 1647.92 |
| 1000 | 2.678998 | 2679.00 |
品牌其他型号
RQ6E050ATTCR品牌厂家：ROHM
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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