RQ6E050ATTCR
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
通道数 1
针脚数 6
漏源极电阻 0.021 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 1.25 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 30 V
上升时间 16 ns
输入电容Ciss 940pF @15VVds
下降时间 22 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.25W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOT-23-6
长度 3 mm
宽度 1.8 mm
高度 0.95 mm
封装 TSOT-23-6
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
RQ6E050ATTCR引脚图
RQ6E050ATTCR封装图
RQ6E050ATTCR封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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RQ6E050ATTCR | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | ROHM RQ6E050ATTCR 晶体管, MOSFET, P沟道, -5 A, -30 V, 0.021 ohm, -10 V, -2.5 V | 搜索库存 |