制造商型号： | EPC2019 |
制造商： | EPS |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | GAN TRANS 200V 8.5A BUMPED DIE |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
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EPS EPC2019
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EPC2019 中文资料
数据手册PDF
EPC2019 规格参数
属性
参数值
制造商型号
EPC2019
制造商
EPS
商品描述
GAN TRANS 200V 8.5A BUMPED DIE
包装
Tape & Reel (TR)
Alternate Packaging
系列
eGaN®
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
GaNFET (Gallium Nitride)
漏源电压（Vdss）
200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
8.5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
50mOhm @ 7A, 5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 1.5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
2.5nC @ 5V
Vgs（最大值）
+6V, -4V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
270pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
-
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
Die
封装/外壳
Die
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1000 | 13.070079 | 13070.08 |
品牌其他型号
EPC2019品牌厂家：EPS
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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