制造商型号： | IPD25CN10NGATMA1 |
制造商： | INFINEON (英飞凌) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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INFINEON(英飞凌) IPD25CN10NGATMA1
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IPD25CN10NGATMA1 中文资料
数据手册PDF
IPD25CN10NGATMA1 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 35 A
漏源电阻 19 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 23 nC
耗散功率 71 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3 ns
正向跨导（Min） 38 S
上升时间 4 ns
典型关闭延迟时间 13 ns
典型接通延迟时间 10 ns
外形参数
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPD25CN10N G SP001127810
单位重量 330 mg
IPD25CN10NGATMA1 同类别型号
库存： 3066
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 13.715186 | 13.72 |
| 10 | 12.3066 | 123.07 |
| 25 | 11.678914 | 291.97 |
| 100 | 8.757949 | 875.79 |
| 250 | 8.673929 | 2168.48 |
| 500 | 7.423006 | 3711.50 |
| 1000 | 6.04679 | 6046.79 |
品牌其他型号
IPD25CN10NGATMA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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