制造商型号: | ZXMN2B03E6TA |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT23-6 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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DIODES(美台) ZXMN2B03E6TA
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ZXMN2B03E6TA 中文资料
数据手册PDF
ZXMN2B03E6TA 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 5.4 A
漏源电阻 40 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 14.5 nC
耗散功率 1.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6.2 ns
上升时间 6.2 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 33.9 ns
典型接通延迟时间 4.2 ns
外形参数
高度 1.3 mm
长度 3.1 mm
宽度 1.8 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 15 mg
库存: 2955
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 5.976398 | 5.98 |
10 | 5.817988 | 58.18 |
品牌其他型号
ZXMN2B03E6TA品牌厂家:DIODES
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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