制造商型号： | SQD23N06-31L_GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 60V 23A TO252 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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SILICONIX(威世) SQD23N06-31L_GE3
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SQD23N06-31L_GE3 中文资料
数据手册PDF
SQD23N06-31L_GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 23 A
漏源电阻 24 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 24 nC
耗散功率 37 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3 ns
正向跨导（Min） 25 S
上升时间 8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 14 ns
典型接通延迟时间 6 ns
外形参数
高度 2.38 mm
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
库存： 3205
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 18.286915 | 18.29 |
| 10 | 16.396444 | 163.96 |
| 25 | 15.4648 | 386.62 |
| 100 | 12.060715 | 1206.07 |
| 250 | 11.752062 | 2938.02 |
| 500 | 10.205581 | 5102.79 |
| 1000 | 8.659225 | 8659.22 |
品牌其他型号
SQD23N06-31L_GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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