锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

SQD23N06-31L_GE3

SQD23N06-31L_GE3

数据手册.pdf
VISHAY(威世) 分立器件

N 通道 MOSFET,汽车 SQ 坚固系列,Vishay Semiconductor来自 Vishay Semiconductor 的**SQ** 系列 MOSFET 适用于要求坚固性和高可靠性的汽车应用。### SQ 坚固系列 MOSFET 的优点• 符合 AEC-Q101 标准 • 接点温度高达 +175°C • 低导通电阻 n - 和 p - 通道 TrenchFET® 技术 • 创新型节省空间封装选项### 认可AEC-Q101### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

N 通道 MOSFET,汽车 SQ 坚固系列,Vishay Semiconductor

来自 Vishay Semiconductor 的
.
*SQ** 系列 MOSFET 适用于要求坚固性和高可靠性的汽车应用。

### SQ 坚固系列 MOSFET 的优点

• 符合 AEC-Q101 标准

• 接点温度高达 +175°C

• 低导通电阻 n - 和 p - 通道 TrenchFET® 技术

• 创新型节省空间封装选项

### 认可

AEC-Q101

### MOSFET ,Vishay Semiconductor


欧时:
Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQD23N06-31L_GE3, 23 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK TO-252封装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 23A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK


安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 23A 3-Pin2+Tab DPAK


Win Source:
MOSFET N-CH 60V 23A TO252


SQD23N06-31L_GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 31 mΩ

极性 N-CH

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 23A

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 674pF @25VVds

下降时间 3 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 37W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.38 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

包装方式 Tape & Reel TR

最小包装 2000

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

SQD23N06-31L_GE3引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SQD23N06-31L_GE3
型号 制造商 描述 购买
SQD23N06-31L_GE3 VISHAY 威世 N 通道 MOSFET,汽车 SQ 坚固系列,Vishay Semiconductor 来自 Vishay Semiconductor 的**SQ** 系列 MOSFET 适用于要求坚固性和高可靠性的汽车应用。 ### SQ 坚固系列 MOSFET 的优点 • 符合 AEC-Q101 标准 • 接点温度高达 +175°C • 低导通电阻 n - 和 p - 通道 TrenchFET® 技术 • 创新型节省空间封装选项 ### 认可 AEC-Q101 ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor 搜索库存