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ROHM(罗姆) RQ3E080BNTB

ROHM(罗姆) RQ3E080BNTB
图像仅供参考
请参阅产品规格

制造商型号:

RQ3E080BNTB

制造商:

ROHM (罗姆)

产品类别:

晶体管-FET,MOSFET-单个

商品描述:

MOSFET N-CH 30V 8A HSMT8

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

digikey

服务:

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客服:

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RQ3E080BNTB 中文资料

数据手册PDF

RQ3E080BNTB 规格参数

关键信息

制造商 ROHM Semiconductor

商标 ROHM Semiconductor

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 8 A

漏源电阻 11 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 2.5 V

栅极电荷 14.5 nC

耗散功率 2 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 7 ns

上升时间 20 ns

晶体管类型 1 N-channel

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 RQ3E080BN

库存: 40756

货期:

工作日(7~10天)

最小起订:

1 个

整装:

¥10
单价:¥6.276256 总价:¥6.28
购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。

价格(含增值税)

数量 单价 总价
1 6.276256 6.28
10 5.121425 51.21
100 3.489599 348.96
500 2.616697 1308.35
1000 1.962586 1962.59
品牌其他型号
RQ3E080BNTB品牌厂家:ROHM ,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个 ,可在锐单商城现货采购RQ3E080BNTB、查询RQ3E080BNTB代理商; RQ3E080BNTB价格批发咨询客服;这里拥有 RQ3E080BNTB中文资料 、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到 RQ3E080BNTB替代型号RQ3E080BNTB数据手册PDF