RQ3E080BNTB

ROHM Semiconductor 罗姆半导体分立器件

HSMT N-CH 30V 8A

N-Channel 30V 8A Ta 2W Ta Surface Mount 8-HSMT 3.2x3

得捷:
MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT

贸泽:
MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin HSMT EP T/R

安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V ±8A 8-Pin HSMT Embossed Tape and Reel

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin HSMT T/R

RQ3E080BNTB中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 2 W

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 8A

上升时间 20 ns

输入电容Ciss 660pF @15VVds

下降时间 7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 HSMT-8

外形尺寸

封装 HSMT-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

RQ3E080BNTB引脚图与封装图

RQ3E080BNTB引脚图

RQ3E080BNTB封装图

RQ3E080BNTB封装焊盘图

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