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DMP2066LSN-7

DMP2066LSN-7

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

DMP2066LSN-7 编带

最大源漏极电压Vds

Drain-Source Voltage | 20V

\---|---

最大栅源极电压Vgs±

Gate-Source Voltage | 12V

最大漏极电流Id

Drain Current | 4.6A

源漏极导通电阻Rds

Drain-Source On-State | • 40 mΩ @VGS = -4.5V

• 70 mΩ @VGS = -2.5V

开启电压Vgs(th)

Gate-Source Threshold Voltage | 1.2V

耗散功率Pd

Power dissipation | 1.25W

描述与应用

Description & Applications | | •低RDS(ON): | •40mΩ的@VGS=-4.5V | •70mΩ的@VGS=-2.5V | •低输入/输出泄漏 | •铅的设计免费/ RoHS规定(注3) | •符合AEC-Q101标准的高可靠性 | •"绿色"设备(注4)

DMP2066LSN-7中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

极性 P-CH

耗散功率 1.25 W

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 4.6A

上升时间 9.9 ns

输入电容Ciss 820pF @15VVds

额定功率Max 1.25 W

下降时间 23.4 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.25W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

宽度 1.7 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

DMP2066LSN-7引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
DMP2066LSN-7 Diodes 美台 DMP2066LSN-7 编带 搜索库存
替代型号DMP2066LSN-7
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: DMP2066LSN-7

品牌: Diodes 美台

封装: SC-59 P-CH 20V 4.6A

当前型号

DMP2066LSN-7 编带

当前型号

型号: SI2399DS-T1-GE3

品牌: 威世

封装:

功能相似

晶体管, MOSFET, P沟道, -6 A, -20 V, 0.028 ohm, -10 V, -600 mV

DMP2066LSN-7和SI2399DS-T1-GE3的区别