制造商型号： | SIHP38N60E-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 600V 43A TO220AB |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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SILICONIX(威世) SIHP38N60E-GE3
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SIHP38N60E-GE3 中文资料
数据手册PDF
SIHP38N60E-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 43 A
漏源电阻 56 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 122 nC
耗散功率 313 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 50 ns
上升时间 58 ns
典型关闭延迟时间 116 ns
典型接通延迟时间 33 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
库存： 626
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 77.842949 | 77.84 |
| 10 | 70.31813 | 703.18 |
| 25 | 67.048727 | 1676.22 |
| 100 | 55.600871 | 5560.09 |
| 250 | 52.330231 | 13082.56 |
| 500 | 49.059592 | 24529.80 |
| 1000 | 44.153633 | 44153.63 |
| 2500 | 42.518314 | 106295.78 |
品牌其他型号
SIHP38N60E-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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